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NVBG045N065SC1 650V碳化硅 (SiC) MOSFET與硅器件(Si)相比可提供出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。650V SiC MOSFET具有低導(dǎo)通電阻，采用緊湊的芯片尺寸，可確保低電容和低柵極電荷。優(yōu)勢包括效率高、工作頻率快、功率密度高、EMI低以及系統(tǒng)尺寸小。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): SiC

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-7L

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 62 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 50 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V

Qg-柵極電荷: 105 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 242 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 7 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 16 S

上升時間: 14 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 26 ns

典型接通延遲時間: 13 ns

典型應(yīng)用

汽車板載充電器

用于電動汽車/混合動力汽車的汽車 DC-DC 轉(zhuǎn)換器

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