商品名稱:DMWS120H100SM4
數(shù)據(jù)手冊(cè):DMWS120H100SM4.pdf
品牌:Diodes
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
DMWS120H100SM4 1200V N溝道碳化硅(SiC)功率MOSFET旨在最大限度地降低導(dǎo)通電阻,同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。它可以在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、光伏能源系統(tǒng)、直流-直流轉(zhuǎn)換器,以及數(shù)據(jù)中心和電信電源中實(shí)現(xiàn)高密度和高效率。
規(guī)格
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):37.2A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):100 毫歐 @ 20A,15V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):52 nC @ 15 V
Vgs(最大值):+19V,-8V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):1516 pF @ 1000 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):208W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4
封裝/外殼:TO-247-4
基本產(chǎn)品編號(hào):DMWS120
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Diodes Inc.成立於1966年,是美國(guó)Nasdaq上市企業(yè),為敦南科技轉(zhuǎn)投資企業(yè),主要從事半導(dǎo)體分立元件制造生產(chǎn),Diodes Inc.與光寶集團(tuán)具備合作夥伴關(guān)系,雙方共同開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)及分銷產(chǎn)品,服務(wù)廠商包括通訊、電腦、工業(yè)、電子產(chǎn)品和汽車工業(yè)等。 Diodes 公司是一家在廣闊的分…
PI7C9X3G1632GPDHFCE
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DMWSH120H43SM3是一款1200V、72.7A單N溝道碳化硅功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于最大限度地降低導(dǎo)通電阻并保持出色的開(kāi)關(guān)性能。這些1200V功率MOSFET非常適合用于EV大功率直流-直流轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)、太陽(yáng)能逆變器、交流-直流牽引逆變器和汽車電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。DMWSH120H43SM3的規(guī)…DMWSH120H90SM3
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